O que é um IGBT?
Índice
- O que é um IGBT?
- O que é IGBT inversor?
- Para que serve um módulo IGBT?
- Como identificar um IGBT?
- Como é controlado o IGBT?
- Qual a diferença de um Mosfet para um IGBT?
- Qual a função dos transistores IGBT do inversor de frequência?
- Como montar um testador de IGBT?
- Quais são as tensões utilizadas para efetuar o comando do IGBT?
- Quais são as características do IGBT?
- Qual a invenção do IGBT?
- Qual a diferença entre o IGBT e o MOSFET?
- Como reduzir a tensão no IGBT?
O que é um IGBT?
Um dos componentes que contribuíram para o avanço da eletrônica de potência é o IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) – Transistor Bipolar de Porta Isolada. ... A partir dessas características foi criado o IGBT, que nasceu na década de 80 e vem evoluindo muito, principalmente no quesito velocidade de chaveamento.
O que é IGBT inversor?
O IGBT é um semicondutor de potência que alia as características de chaveamento dos transistores bipolares com a alta impedância dos MOSFETs apresentando baixa tensão de saturação e alta capacidade de corrente. ... Basicamente, o IGBT pode ser analisado também como um mosfet acionando um transistor bipolar.
Para que serve um módulo IGBT?
De modo geral, o módulo IGBT semikron é usado em inversores elétricos, em motores de controle, equipamentos de soldagem, inversores de tração e diversos aparelhos médicos que, obviamente, funcionam à base de fontes de alimentação.
Como identificar um IGBT?
Uma leitura de baixa resistência nas duas medidas indica um IGBT em curto e uma leitura de resistência algo baixa onde deveria ser muito alta (entre 10 k e 1 M) indica um componente com fugas. Em ambos os casos, o componente não deve ser utilizado.
Como é controlado o IGBT?
O IGBT é freqüentemente utilizado como uma chave, alternando os estados de condução (On-state) e corte (Off-state) os quais são controlados pela tensão de porta, assim como em um MOSFET. ... Uma característica desta região de operação é a tensão direta de breakdown, determinada pela tensão breakdown da junção J2.
Qual a diferença de um Mosfet para um IGBT?
Para os tipos básicos de IGBT e MOSFET a diferença principal está na estrutura interna. Enquanto no MOSFET a conexão de dreno está em contacto direto com a camada -n, no IGBT existe uma camada adicional +p que é justamente o elemento bipolar.
Qual a função dos transistores IGBT do inversor de frequência?
O igbt inversor de frequência é também conhecido no mercado como conversor de frequência. Resumidamente, esse equipamento realiza a função de conversão de uma potência do ciclo alternado senoidal para transformá-la em corrente contínua.
Como montar um testador de IGBT?
Consiga uma caixa que caiba uma bateria de 12v/7Ah folgada. consiga também duas lâmpadas dicróicas 12v/50watts, um interruptor, alguns pedaços de fios, um dissipador compatível com o tamanho de um módulo IGBT, umas quatro abraçadeiras, duas garras jacaré e dois terminais fast on.
Quais são as tensões utilizadas para efetuar o comando do IGBT?
Veja que para um aumento da corrente de 0 a 6 ampères, a tensão sobe de 0 para 5 V com alimentação de 20 V no caso do transistor bipolar, enquanto que para um IGBT alimentado com 17 V, a tensão sobe de 0 para apenas 4 V aproximadamente, quando a corrente vai a 24 ampères.
Quais são as características do IGBT?
- Figura 3: O IGBT possui características do Mosfet e do Transistor bipolar. No gráfico da figura 4 podemos observar a classificação dos diversos dispositivos utilizados na eletrônica de potência para chaveamento. Graças às suas características o IGBT possui larga escala de aplicação em diversas indústrias, como robótica, soldagem e automotivo.
Qual a invenção do IGBT?
- O IGBT é uma invenção recente. A primeira geração de dispositivos desse tipo na década de 1980 e início dos anos 90 possuíam chaveamento relativamente lento e seu desligamento (corte na condução) não ocorria enquanto existisse corrente fluindo (característica conhecida na língua inglesa como latchup ).
Qual a diferença entre o IGBT e o MOSFET?
- A principal diferença entre essa estrutura do IGBT e a de um MOSFET é a inclusão de um substrato P+ (O símbolo “+” foi colocado para indicar que esta região é fortemente dopada, enquanto que o símbolo “-” indica que a região é fracamente dopada) onde é conectado o terminal de coletor (collector).
Como reduzir a tensão no IGBT?
- Com o aumento de condutividade consequente da camada n, pode-se reduzir a tensão no estado ON do IGBT. O resultado disso é que obtemos para o IGBT uma redução considerável na tensão no estado de máxima condução, conforme indicam as curvas da figura 2.